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架空绝缘电缆检测项目——1kV架空绝缘电缆检测项目与检测标准 1kV架空绝缘电缆检验项目 绝缘平均厚度、绝缘最薄处厚度 外径 电缆拉断力 导体电阻 电压试验 绝缘老化前抗张强度 绝缘老化前断裂伸长率 绝缘老化后抗张强度 绝缘老化后抗张强度变化率...查看详情>>
架空绝缘电缆检测项目——1kV架空绝缘电缆检测项目与检测标准
1kV架空绝缘电缆检验项目
收起百科↑ 最近更新:2018年11月28日
检测项:集电极--发射极饱和电压VCES 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极--发射极击穿电压BVCEO 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管
检测项:基极--发射极饱和电压VBES 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
机构所在地:河南省洛阳市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
检测项:集电极-发射极电流 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
检测项:集电极-基极击穿电压, 发射极-基极击穿电压 检测样品:整流二极管 标准:半导体器件分立器件第2部分整流二极管 GB/T6571-1995
机构所在地:甘肃省兰州市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
检测项:基极-发射极饱和电压VBEsat 检测样品:晶体管 标准:GB/T4587-1994 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管
机构所在地:湖南省长沙市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:三端稳压电源(电压调整器) 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
检测项:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 检测样品:三端稳压电源(电压调整器) 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
检测项:集电极-发射极截止电流ICEO 检测样品:三端稳压电源(电压调整器) 标准:半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理GB/T4377-1996
机构所在地:河南省郑州市 更多相关信息>>
检测项:部分项目 检测样品:所有电器及电子产品 标准:低压供电系统中额定电流不大于16A的设备的电压波动和闪烁的限值 IEC61000-3-3:1995+A1 IEC 61000-3-3: 2008
检测项:部分项目 检测样品:所有电机及电子产品 标准:低压供电系统中额定电流不大于16A的设备的电压波动和闪烁的限值 EN 61000-3-3: 1995+A1+A2 EN 61000-3-3: 2008
机构所在地: 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极电流 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T4587-1994半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T4587-1994半导体器件分立器件和集成电路第7部分双极型晶体管
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:光电耦合器 标准:GB/T4587-1994半导体器件分立器件第7部分双极型晶体管
机构所在地:江苏省南京市 更多相关信息>>
检测项:集电极-发射极饱和电压Vce(sat) 检测样品:双极型 晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:集电极-发射极饱和电压VCEsat 检测样品:双极型 晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
检测项:基极-发射极饱和电压VBesat 检测样品:双极型 晶体管 标准:半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 GB/T 4587-1994
机构所在地:湖北省武汉市 更多相关信息>>
检测项:集电极—发射极饱和电压 检测样品:固定电感器 标准:电子设备用固定电感器_第2部分_分规范表面安装电感器 SJ/T 11287-2003
检测项:集电极—发射极饱和电压 检测样品:半导体三极管 标准:半导体分立器件和集成电路 第七部分:双极型晶体管GB/T 4587-1994
检测项:正向电压 检测样品:光耦合器 标准:(1)半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件测试方法 GB/T 15651.3-2003
机构所在地:北京市 更多相关信息>>
检测项:集电极--发射极饱和电压VCES 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》
检测项:集电极--发射极击穿电压BVCEO 检测样品:场效应管 标准:GB/T4586-1994 《半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管》
检测项:基极--发射极饱和电压VBES 检测样品:晶体三极管 标准:GB/T4587-1994 《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》
检测项:集电极-发射极饱和电压 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:基极-发射极饱和电压 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项:集电极-发射极截止电流 检测样品:双极型晶体管 标准:GB/T 4587-1994 半导体器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
机构所在地:云南省昆明市 更多相关信息>>